随着人工智能（AI）技术的迅猛发展，为AI处理器提供高效、可靠的电源供应，成为了一个不容忽视的挑战。想要应对这一挑战，打造新一代功率器件是关键的一环。
为了满足由AI驱动、日趋旺盛的市场需求，英飞凌进一步扩展碳化硅（SiC）MOSFET的产品组合，推出了全新的400V CoolSiC™ MOSFET系列。该系列SiC MOSFET专为AI服务器的AC/DC级而开发，在满足AI PSU日益增长的功率需求的同时，还有助于保持服务器机架的紧凑尺寸，实现更高能效的先进AI应用，是英飞凌对PSU产品线的有力补充。
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CoolSiC™ 400V G2
碳化硅MOSFET
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产品详情
英飞凌推出的CoolSiC™ 400V MOSFET系列，是早些时候发布的第二代（G2）CoolSiC™技术的升级版。与市场现有的650V SiC和Si MOSFET相比，这一新产品系列具有超低的传导和开关损耗。
作为AI服务器电源装置的AC/DC级，CoolSiC™ 400V MOSFET系列采用多级PFC，功率密度达到100W/in³以上，并且效率高达99.5%——与采用650V SiC MOSFET的解决方案相比，提高了0.3个百分点。
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升级系统解决方案性能
值得一提的是，由于在DC/DC级采用了CoolGaN晶体管，可让系统解决方案性能进一步提升——通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源方案可提供8kW以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
CoolSiC™ 400V MOSFET产品组合共包含10款产品，其中5款RDS(on) 级（11~45mΩ）产品采用开尔文源TOLL和D² PAK-7封装，以及.XT封装互连技术。在Tvj = 25°C时，其漏极-源极击穿电压为400V，因此非常适用于2级和3级转换器以及同步整流。这些功率器件在苛刻的开关条件下具有很高的稳健性，并且通过了100%的雪崩测试。
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应用设计灵活
高度稳定的CoolSiC™技术与.XT互连技术相结合，使得半导体功率器件能够应对AI处理器功率突变所造成的功率峰值和瞬态，同时凭借连接技术和低正RDS(on)温度系数，即便在结温较高的工作条件下也能发挥出色的性能。
此外，CoolSiC™ MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，经过优化可实现更低的应用损耗和更高的运行可靠性。
总结
如今，随着AI应用日益普及，服务器电源需要更高级别的功率支持，用于AI训练的高级GPU每个处理器所需功率将高达3kW。考虑到每个AI服务器机架包含有多个GPU，因此PSU的额定功率将朝着8kW甚至更高级别迈进。
英飞凌新近推出了CoolSiC™ 400V G2碳化硅MOSFET，其优异的产品性能有助于提高系统能效和成本效益，这一特性在考虑极端AI服务器负载配置情况下尤为重要。CoolSiC™ G2 MOSFET采用的新一代SiC技术能够优化设计成本，有助于设计出更加紧凑、可靠、高效的电源系统，直面未来AI数据中心更高功率的挑战。
除了AI服务器外，该功率器件还可广泛应用于太阳能和储能系统（ESS）、逆变器电机控制、工业和辅助电源，以及住宅中的固态断路器等多个领域。
