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三种对MOS管驱动电流的估算方法
引言
驱动的电路中，针对MOS管的驱动电流是需要特别进行估算的。当然估算的方式不止一种，一般常用的估算方式有3种方式，本文就将对这三种估算方式进行介绍。并对每种估算方式进行讲解，感兴趣的朋友快来看一看吧。
第一种:公式估算法
可以使用如下公式估算：
Ig=Qg/Ton
其中：
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。
Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）
第二种：（第一种的变形）
密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；
第三种：曲线估算法
以一个实际MOS管为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在0.2us内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关断的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。
结语
本文主要为大家介绍了3种目前较为常见的对于光耦应用中MOS管进行估算的方法。每种方法都有其自身的特点，根据不同的情况，设计者可以根据公式或曲线模式来对MOS管的取值进行估算。在设计过程中遇到此类问题的朋友可以试着采用本文介绍的方法来进行评估。
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