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【精辟】MOSFET的开关损耗分析
本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。
07月01日 10:45
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漏电感对正激和反激式开关电源的影响及设计方法
漏电感在开关电源主回路中一定存在,尤其在变压器、电感器等中都是不可避免的。过去在讨论中一般把它略而不计,设计中更无从考虑。现在随着开关电源的单机容量和整机容量的日益提高,这个参数影响到开关电源主要的参
06月27日 10:50
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功率管关断瞬间尖峰电压的抑制方法
反激式变换器功率管关断的瞬间,会出现较大的尖峰电压,这个电压可能会超过开关管的定额。在小功率的应用场合,适合使用缓冲电路来达到钳位的效果。根据在电路中的实际作用,可以分为抑制电压上升率模式和电压钳位模
06月24日 10:08
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开机浪涌抑制--热敏电阻的重要地位!
图1是典型的电子产品电源部分简化电路,C1是与负载并联的滤波电容。在开机上电的瞬间,电容电压不能突变,因此会产生一个很大的充电电流。根据一阶电路零状态响应模型所建立的一阶线性非齐次方程可以求出其电流初
06月06日 18:39
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开关电源EMC设计经验谈!
随着电力电子技术的发展,开关电源模块因其相对体积小、效率高、工作可靠等优点开始取代传统整流电源而被广泛应用到社会的各个领域。但由于开关电源工作频率高,内部产生很快的电流、电压变化,即dv/dt和di/
05月26日 09:53
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正激电源RCD复位与谐振复位的优缺点
图(a)所示的是RCD复位正激变换器,即在变压器上并联了一个由二极管D,电容C,电阻R组成的环节,在开关S关断时由激磁电感和漏感的感应电势使二极管D导通,由电容C上的电压对变压器复位。图(b)是RCD
05月15日 13:54
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桥式拓扑结构功率MOSFET 驱动电路设计
功率MOSFET 以其开关速度快、驱动功率小和功耗低等优点在中小容量的变流器中得到了广泛的应用。当采用功率MOSFET 桥式拓扑结构时, 同一桥臂上的两个功率器件在转换过程中, 栅极驱动信号会产生振荡
04月28日 10:49
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DC_DC模块电源应用电路大全
模块的控制信号输入脚(Gate In)用来控制模块导通和关断。如图1-11所示,当控制信号输入脚为低电平(电压〈0.65V,电流为6mA)时,模块关断当Gate ln脚悬空时,模块导通。应当注意。
04月25日 09:45
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开关电源中续流二极管,你想知道的都在这!
续流二极管都是并联在线圈的两端,线圈在通过电流时,会在其两端产生感应电动势。当电流消失时,其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时,会把原件如三极管,等造成损坏。续
04月21日 09:42
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【干货】TL431配合PC817反馈电路各参数的实例设计
TL431一是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地设置到从Vref(2.5V)到36V范围内的任何值(如图2)。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω,在很多应用中可
04月14日 10:31
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